Der bipolare Transistor lässt sich als selbstsperrende, gesteuerte Stromquelle mit 3 Anschlüssen beschreiben. Es sind dies der Steuereingang ´Basis´, der hochohmige ´Kollektor´-Anschluss und der niederohmige ´Emitter´.

Mit einem kleinen Basisstrom kann ein viel größerer Kollektor/Emitterstrom gesteuert werden. Das Verhältnis von Kollektorstrom zu Steuerstrom wird als DC-current-gain, bzw. hfe-Wert im Datenblatt angegeben und ist über mehrere Dekaden linear. Das erlaubt Schaltungen ohne globale Gegenkopplung und trotzdem geringen Verzerrungen zu bauen.

Weitaus überwiegend wird jedoch mit einer Steuerspannung gearbeitet.

Die Kennlinie (Ube zu Ic) verläuft exponentiell mit einem starken Knick bei etwa 600mV.

Liegt die Basis-Emitter-Spannung Ube unterhalb dieser ca. 600mV dann ist der Transistor gesperrt.

Erst oberhalb der Ube öffnet der Transistor. Es fliesst ein Kollektorstrom und man kann ihn als verstärkendes Element oder Schalter nutzen. Aufgrund der nötigen Basisvorspannung müssen die Schaltungen entsprechend dimensioniert sein, bzw. Massnahmen zur Generierung der Vorspannung -sprich zusätzlicher Bauteilaufwand- vorgesehen werden.

NPN und PNP Typen unterscheiden sich durch ihre Polarität.

Beim NPN sind die Ube und Uce (Spannung gemessen von der Basis bzw. dem Kollektor zum Emitter) positiv, beim PNP dagegen negativ.